记忆阻力

当忆阻电阻用作电气元件时，我们可以将不同的电流施加到不同的状态，并且忆阻元件将记住这种状态，即使施加的电流消失，它仍然会被保持。状态。
换句话说，它可以作为非易失性闪存的替代品。 2000年以后，研究人员在各种二元金属氧化物和钙钛矿薄膜的电场下发现了电阻变化，并将其应用于下一代非易失性存储器 - 阻抗存储器（RRAM）。
2008年4月，惠普宣布推出基于TiO2的RRAM器件，并首次将RRAM与忆阻器相连。 2009年12月，研究人员可以构建一个可以存储每个数据地址的三维忆阻器阵列。
因此，忆阻可以存储和读取大量信息。 1971年，加州大学伯克利分校的中国科学家蔡绍棠在理论上预测，除了电容器，电感器和电阻器之外，电子电路应该有第四个基本元件，即忆阻器。
实际上，忆阻器是一种具有记忆功能的非线性电阻器。它可以通过电流的变化来控制电阻的变化。
如果忆阻器的高阻和低阻分别定义为1和0，则可以通过二进制方式存储数据。今天，美国惠普实验室的Stan Williams及其同事终于在非常小的电路实验中创建了一种忆阻电阻的物理模型。
威廉姆斯和其他人在一期新的“自然”杂志中写道，他们在两块铂金薄膜之间夹着一层纳米级二氧化钛半导体薄膜。这些材料是标准材料，制作备忘录的技巧是使组件的尺寸仅为5纳米，相当于人类头发的万分之一。
科学家们指出，只有纳米尺度，才能感知忆阻器的工作状态。他们希望这个新组件能够彻底改变计算机的制造和运营方式。
科学家表示，用忆阻电路制造的计算机将“记住”。以前处理过的东西和“冻结”这个“记忆”停电后。
这将允许计算机立即来回切换，因为所有组件将立即恢复到最近的最终状态，而不必经历“导入”状态。处理。
忆阻器最简单的应用是构建新型的非易失性随机存取存储器，或者不会忘记计算机关闭时所处的能量状态的存储芯片。研究人员表示，今天的动态随机存取存储器的最大问题是当你关闭电源时，动态随机存取存储器会忘记存在的内容，所以下次打开电脑时，你必须坐在那里等待它。
需要运行计算机的所有内容都从硬盘加载到动态随机存取内存中。使用非易失性随机存取存储器，该过程将是即时的，当您关闭它时，您的PC将返回相同的状态。
研究人员表示，忆阻器允许手机在使用数周或更长时间后充电，并且可以在电池电量耗尽后长时间保存信息。忆阻器也有望挑战当今数字设备中常用的闪存，因为它能够在电源关闭后保存信息。
使用这一新发现制造的芯片将比当前闪存更快地保存信息，消耗更少的电力并占用更少的空间。灵活的存储器电阻技术是一种新型的存储器电阻技术。
该记忆电阻器由氧化钛制成，这是制造防晒剂和牙膏的常用材料。科学家们使用这种氧化物制造柔韧的透明聚合物薄片，并在其上形成可用于制造记忆电阻的接触。
该存储器可以在低于10v的电压下工作，并且可以在断电后保存数据。该材料的伸缩寿命为4000次。
美国国家标准与技术研究院（NIST）的研究小组将溶胶 - 凝胶法制备的液态氧化钛喷涂在透明片上，并在室温下干燥。由此获得的产品可以使数据保持在断电状态。
天。在20世纪70年代，人们首先提出了耐记忆性的概念，但直到2008年，惠普才开发出实际的产品。
存储器电阻器可以在没有电流流过的情况下保持数据，并且电阻器的电阻随着电流值和电流方向的变化而显着变化。在正常条件下，该电阻的电阻非常低，如果电流方向改变，电阻值会大大增加。
这可以应用于存储器以模拟“0”。和“1”。
数字信号。即使长时间断电，该电阻状态也不会改变，因此可以通过随时测量电阻器的电阻来获得存储在其中的信息。
NIST发明的存储器电阻技术可以在断电状态下保存数据14天。灵活的记忆电阻技术可用于制造灵活的芯片，这些芯片用途广泛，可用于医疗以创建心率/血流监测器。